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BUP313D中文资料

  • 大小：110.27KB
  • 厂家：SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
  • 描述：IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free)
  • 制造商：Infineon
  • 产品种类：IGBT 晶体管
  • 配置：Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
  • 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装 / 箱体：TO-218-3
  • 封装：Tube
  • 集电极最大连续电流 Ic：32 A
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 安装风格：Through Hole

BUP313D供应商

更新时间:2023-01-02 01:27:41
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